In protte projekten fan hardware-yngenieurs binne foltôge op it gat board, mar d'r is it ferskynsel fan it per ongelok ferbinen fan de positive en negative terminals fan 'e stroomfoarsjenning, wat liedt ta in protte elektroanyske komponinten baarnend, en sels it hiele bestjoer wurdt ferneatige, en it moat wurde laske wer, Ik wit net wat goede manier om it op te lossen?
Alderearst is ûnûntkomberens ûnûntkomber, hoewol it allinich is om de positive en negative twa triedden te ûnderskieden, in reade en in swarte, kinne ienris bedrade wurde, wy sille gjin flaters meitsje; Tsien ferbinings sille net ferkeard gean, mar 1.000? Wat oer 10.000? Op dit stuit is it dreech om te sizzen, fanwegen ús achtleazens, dy't liedt ta guon elektroanyske komponinten en chips ferbaarnd, de wichtichste reden is dat de hjoeddeiske is te folle ambassadeur komponinten wurde ôfbrutsen, dus wy moatte nimme maatregels om foar te kommen dat de omkearde ferbining .
D'r binne de folgjende metoaden dy't faak brûkt wurde:
01 diode rige type anti-reverse beskerming circuit
In foarút diode is ferbûn yn searjes by de positive macht input te meitsje folslein gebrûk fan de diode syn skaaimerken fan foarút conduction en reverse cutoff. Under normale omstannichheden leit de sekundêre buis en wurket it circuit board.
As de stroomfoarsjenning wurdt omkeard, wurdt de diode ôfsnien, de stroomfoarsjenning kin gjin lus foarmje, en it circuit board wurket net, wat it probleem fan 'e stroomfoarsjenning effektyf kin foarkomme.
02 Anty-reverse beskerming circuit fan gelijkrichterbrêge
Brûk de rjochterbrêge om de machtynput te feroarjen yn in net-polêre ynput, of de stroomfoarsjenning is ferbûn of omkeard, it bestjoer wurket normaal.
As de silisiumdiode in drukfal hat fan sawat 0,6 ~ 0,8V, hat de germaniumdiode ek in drukfal fan sawat 0,2 ~ 0,4V, as de drukfal te grut is, kin de MOS-buis brûkt wurde foar anty-reaksje behanneling, de drukfal fan 'e MOS-buis is tige lyts, oant in pear milliohm, en de drukfal is hast net te ferwaarmjen.
03 MOS tube anti-reverse beskerming circuit
MOS tube fanwege proses ferbettering, syn eigen eigenskippen en oare faktoaren, syn conductive ynterne wjerstân is lyts, in protte binne milliohm nivo, of noch lytser, sadat it circuit voltage drop, macht ferlies feroarsake troch it circuit is benammen lyts, of sels negligible , dus kies MOS-buis om it circuit te beskermjen is in mear oanbefellende manier.
1) NMOS beskerming
Lykas hjirûnder werjûn: Op it momint fan power-on wurdt de parasitêre diode fan 'e MOS-buis ynskeakele, en it systeem foarmet in lus. It potinsjeel fan 'e boarne S giet oer 0,6V, wylst it potinsjeel fan' e poarte G is Vbat. De iepeningsspanning fan 'e MOS-buis is ekstreem: Ugs = Vbat-Vs, de poarte is heech, de ds fan NMOS is oan, de parasitêre diode is koartsluten, en it systeem foarmet in lus troch de ds-tagong fan NMOS.
As de stroomfoarsjenning omkeard is, is de oan-spanning fan 'e NMOS 0, de NMOS wurdt ôfsnien, de parasitêre diode wurdt omkeard, en it circuit wurdt loskeppele, sadat beskerming foarmje.
2) PMOS beskerming
Lykas hjirûnder werjûn: Op it momint fan power-on wurdt de parasitêre diode fan 'e MOS-buis ynskeakele, en it systeem foarmet in lus. It potinsjeel fan 'e boarne S giet oer Vbat-0.6V, wylst it potinsjeel fan' e poarte G is 0. De iepeningsspanning fan 'e MOS-buis is ekstreem: Ugs = 0 - (Vbat-0.6), de poarte gedraacht as in leech nivo , de ds fan PMOS is oan, de parasitêre diode is koartsluten, en it systeem foarmet in lus troch de ds tagong fan PMOS.
As de stroomfoarsjenning omkeard wurdt, is de oanspanning fan 'e NMOS grutter dan 0, de PMOS wurdt ôfsnien, de parasitêre diode wurdt omkeard, en it circuit wurdt loskeppele, sadat beskerming foarmje.
Opmerking: NMOS-buizen string ds nei de negative elektrode, PMOS-buizen string ds nei de positive elektrode, en de parasitêre diode-rjochting is nei de goed ferbûne hjoeddeistige rjochting.
De tagong fan 'e D- en S-poalen fan' e MOS-buis: meastal as de MOS-buis mei N-kanaal brûkt wurdt, komt de stroom yn 't algemien yn fan 'e D-poal en streamt út 'e S-poal, en de PMOS komt yn en D giet út fan 'e S pole, en it tsjinoerstelde is wier doe't tapast yn dit circuit, de spanning betingst fan 'e MOS buis foldien troch de conduction fan de parasitêr diode.
De MOS-buis sil folslein ynskeakele wurde salang't der in geskikte spanning wurdt fêststeld tusken de G- en S-poalen. Nei it útfieren is it as in skeakel is sletten tusken D en S, en de stroom is deselde wjerstân fan D nei S of S nei D.
Yn praktyske tapassingen is de G-peal oer it generaal ferbûn mei in wjerstân, en om foar te kommen dat de MOS-buis ôfbrutsen wurdt, kin ek in spanningsregulatordiode tafoege wurde. In kondensator ferbûn parallel oan in divider hat in sêft-start effekt. Op it stuit dat de stroom begjint te rinnen, wurdt de kondensator opladen en wurdt de spanning fan de G-poal stadichoan opboud.
Foar PMOS, fergelike mei NOMS, is Vgs ferplichte om grutter te wêzen as de drompelspanning. Om't de iepeningsspanning 0 kin wêze, is it drukferskil tusken DS net grut, wat foardieliger is as NMOS.
04 Fuse beskerming
In protte gewoane elektroanyske produkten kinne sjoen wurde nei it iepenjen fan it diel fan 'e stroomfoarsjenning mei in lont, yn' e stroomfoarsjenning is omkeard, d'r is in koartsluting yn 'e sirkwy fanwegen grutte stroom, en dan is de lont blaasd, spylje in rol yn it beskermjen fan' e circuit, mar dizze manier reparaasje en ferfanging is mear lestich.
Post tiid: Jul-08-2023
