In protte projekten fan hardware-yngenieurs wurde foltôge op it gatboerd, mar d'r is it ferskynsel fan it per ongelok ferbinen fan 'e positive en negative terminals fan' e stroomfoarsjenning, wat liedt ta it ferbaarnen fan in protte elektroanyske komponinten, en sels it heule boerd wurdt ferneatige, en it moat opnij lassen wurde, ik wit net wat in goede manier is om it op te lossen?
Earst fan alles, soarchleazens is ûnûntkomber, hoewol it allinich is om de positive en negative twa triedden te ûnderskieden, in read en in swart, kinne ien kear bedraad wurde, wy sille gjin flaters meitsje; Tsien ferbiningen sille net ferkeard gean, mar 1.000? Hoe sit it mei 10.000? Op dit stuit is it lestich te sizzen, fanwegen ús soarchleazens, liedt ta it opbaarnen fan guon elektroanyske komponinten en chips, de wichtichste reden is dat de stroom te folle ambassadeurkomponinten binne stikken, dus wy moatte maatregels nimme om de omkearde ferbining te foarkommen.
Der binne de folgjende metoaden dy't faak brûkt wurde:
01 diodesearjetype anty-reverse beskermingssirkwy
In foarútgeliedingsdiode is yn searje ferbûn oan 'e positive stroomynfier om folslein gebrûk te meitsjen fan 'e skaaimerken fan foarútgelieding en efterút-ôfsnijing fan 'e diode. Under normale omstannichheden liedt de sekundêre buis en wurket de printplaat.
As de stroomfoarsjenning omkeard wurdt, wurdt de diode útskeakele, kin de stroomfoarsjenning gjin lus foarmje, en wurket it printplaat net, wat it probleem fan 'e stroomfoarsjenning effektyf foarkomme kin.
02 Gelijkrichterbrêgetype anty-reverse beskermingssirkwy
Brûk de gelijkrichterbrêge om de stroomynfier te feroarjen yn in net-poal ynfier, oft de stroomfoarsjenning no ferbûn of omkeard is, it boerd wurket normaal.
As de silisiumdiode in drukfal hat fan sawat 0.6~0.8V, hat de germaniumdiode ek in drukfal fan sawat 0.2~0.4V, as de drukfal te grut is, kin de MOS-buis brûkt wurde foar anty-reaksjebehanneling, de drukfal fan 'e MOS-buis is tige lyts, oant in pear milliohm, en de drukfal is hast ferwaarloosber.
03 MOS-buis anty-reverse beskermingssirkwy
Troch prosesferbetteringen en eigen eigenskippen is de ynterne geliedende wjerstân fan MOS-buizen lyts, en in protte binne op milliohm-nivo, of sels lytser, sadat de spanningsfal yn it sirkwy en it ferlies fan stroom feroarsake troch it sirkwy bysûnder lyts of sels ferwaarloosber is, dus it kiezen fan MOS-buizen is in bettere manier om it sirkwy te beskermjen.
1) NMOS-beskerming
Lykas hjirûnder te sjen is: Op it momint fan ynskeakeljen wurdt de parasitêre diode fan 'e MOS-buis ynskeakele, en it systeem foarmet in lus. De potinsjeel fan 'e boarne S is sawat 0.6V, wylst de potinsjeel fan 'e gate G Vbat is. De iepeningspanning fan 'e MOS-buis is ekstreem: Ugs = Vbat-Vs, de gate is heech, de ds fan NMOS is oan, de parasitêre diode is koartsluten, en it systeem foarmet in lus troch de ds-tagong fan NMOS.
As de stroomfoarsjenning omkeard wurdt, is de oan-spanning fan 'e NMOS 0, wurdt de NMOS útskeakele, wurdt de parasitêre diode omkeard, en it sirkwy wurdt loskeppele, wêrtroch beskerming ûntstiet.
2) PMOS-beskerming
Lykas hjirûnder te sjen is: Op it momint fan ynskeakeljen wurdt de parasitêre diode fan 'e MOS-buis ynskeakele, en foarmet it systeem in lus. De potinsjeel fan 'e boarne S is sawat Vbat-0.6V, wylst de potinsjeel fan 'e gate G 0 is. De iepeningspanning fan 'e MOS-buis is ekstreem: Ugs = 0 – (Vbat-0.6), de gate gedraacht him as in leech nivo, de ds fan PMOS is oan, de parasitêre diode is koartsluten, en it systeem foarmet in lus troch de ds-tagong fan PMOS.
As de stroomfoarsjenning omkeard wurdt, is de oan-spanning fan 'e NMOS grutter as 0, wurdt de PMOS útskeakele, wurdt de parasitêre diode omkeard, en it sirkwy wurdt loskeppele, wêrtroch beskerming ûntstiet.
Opmerking: NMOS-buizen stringe ds nei de negative elektrode, PMOS-buizen stringe ds nei de positive elektrode, en de rjochting fan 'e parasitêre diode is yn 'e korrekt ferbûne stroomrjochting.
De tagong fan 'e D- en S-poalen fan 'e MOS-buis: meastentiids as de MOS-buis mei N-kanaal brûkt wurdt, komt de stroom oer it algemien fan 'e D-poal yn en streamt út 'e S-poal, en de PMOS komt yn en D giet út 'e S-poal, en it tsjinoerstelde is wier as it yn dit sirkwy tapast wurdt, wurdt de spanningsbetingst fan 'e MOS-buis foldien troch de gelieding fan 'e parasitêre diode.
De MOS-buis sil folslein oan wêze salang't in geskikte spanning tusken de G- en S-poalen oprjochte is. Nei it gelieden is it as is in skeakel tusken D en S sluten, en de stroom is deselde wjerstân fan D nei S of S nei D.
Yn praktyske tapassingen is de G-poal oer it algemien ferbûn mei in wjerstân, en om te foarkommen dat de MOS-buis stikken giet, kin der ek in spanningsregulatordiode tafoege wurde. In kondensator dy't parallel oan in dieler ferbûn is, hat in sêftstarteffekt. Op it momint dat de stroom begjint te streamen, wurdt de kondensator opladen en wurdt de spanning fan 'e G-poal stadichoan opboud.
Foar PMOS, yn ferliking mei NOMS, moat Vgs grutter wêze as de drompelspanning. Omdat de iepeningspanning 0 wêze kin, is it drukferskil tusken DS net grut, wat foardieliger is as NMOS.
04 Beskerming mei lont
In protte gewoane elektroanyske produkten kinne sjoen wurde nei it iepenjen fan it stroomfoarsjenningsdiel mei in lont, yn 'e stroomfoarsjenning wurdt omkeard, is d'r in koartsluting yn it sirkwy fanwegen grutte stroom, en dan is de lont trochbrând, wat in rol spilet by it beskermjen fan it sirkwy, mar op dizze manier is reparaasje en ferfanging mear lestich.
Pleatsingstiid: 8 july 2023
