De kosten fan in enerzjyopslachsysteem besteane benammen út batterijen en enerzjyopslachomvormers. It totaal fan beide makket 80% út fan 'e kosten fan in elektrogemysk enerzjyopslachsysteem, wêrfan de enerzjyopslachomvormer 20% útmakket. It IGBT-isolearjende raster bipolare kristal is de upstream grûnstof fan 'e enerzjyopslachomvormer. De prestaasjes fan IGBT bepale de prestaasjes fan 'e enerzjyopslachomvormer, en binne goed foar 20%-30% fan 'e wearde fan 'e omvormer.
De wichtichste rol fan IGBT op it mêd fan enerzjyopslach is transformator, frekwinsjekonverzje, yntervolúsjekonverzje, ensfh., dat in ûnmisber apparaat is yn enerzjyopslachapplikaasjes.
Ofbylding: IGBT-module
De upstream grûnstoffen fan enerzjyopslachfariabelen omfetsje IGBT, kapasitânsje, wjerstân, elektryske wjerstân, PCB, ensfh. Dêrûnder is IGBT noch altyd benammen ôfhinklik fan ymport. Der is noch altyd in gat tusken ynlânske IGBT op technologysk nivo en it wrâldliedende nivo. Mei de rappe ûntwikkeling fan 'e enerzjyopslachyndustry fan Sina wurdt lykwols ferwachte dat it domestisaasjeproses fan IGBT ek fersnelt.
IGBT enerzjyopslach tapassingswearde
Yn ferliking mei fotovoltaïsk is de wearde fan enerzjyopslach IGBT relatyf heech. Enerzjyopslach brûkt mear IGBT en SIC, wêrby't twa ferbiningen belutsen binne: DCDC en DCAC, mei twa oplossingen, nammentlik it yntegreare en aparte enerzjyopslachsysteem foar optyske opslach. By it ûnôfhinklike enerzjyopslachsysteem is it oantal healgeleiders foar krêft sawat 1,5 kear it oantal fotovoltaïsk. Op it stuit kin optyske opslach mear as 60-70% útmeitsje, en in apart enerzjyopslachsysteem is goed foar 30%.
Ofbylding: BYD IGBT-module
IGBT hat in breed skala oan tapassingslagen, wat foardieliger is as MOSFET yn 'e enerzjyopslachomvormer. Yn werklike projekten hat IGBT stadichoan MOSFET ferfongen as it kearnapparaat fan fotovoltaïsche omvormers en wynenerzjyopwekking. De rappe ûntwikkeling fan 'e nije enerzjy-enerzjyopwekkingssektor sil in nije driuwende krêft wurde foar de IGBT-yndustry.
IGBT is it kearnapparaat foar enerzjytransformaasje en oerdracht
IGBT kin folslein begrepen wurde as in transistor dy't twa-wei (multirireksjoneel) elektroanyske stream kontrolearret mei fentylkontrôle.
IGBT is in gearstalde folslein-kontroleare spannings-oandreaune healgeleider-apparaat besteande út de BJT bipolare triode en isolearjende rasterfjildeffektbuis. De foardielen fan twa aspekten fan drukfal.
Figuer: Skematysk diagram fan 'e IGBT-modulestruktuer
De skeakelfunksje fan IGBT is om in kanaal te foarmjen troch in positive spanning ta te foegjen oan 'e gatespanning om de basisstroom nei de PNP-transistor te leverjen om de IGBT oan te driuwen. Omkeard, foegje de inverse gatespanning ta om it kanaal te eliminearjen, stream troch de omkearde basisstroom, en skeakelje de IGBT út. De oandriuwmetoade fan IGBT is yn prinsipe itselde as dy fan MOSFET. It hoecht allinich de ynfierpoal N ienkanaals MOSFET te kontrolearjen, sadat it hege ynfierimpedânsjekarakteristiken hat.
IGBT is it kearnapparaat fan enerzjytransformaasje en -oerdracht. It is algemien bekend as de "CPU" fan elektryske elektroanyske apparaten. As in nasjonale strategyske opkommende yndustry is it in soad brûkt yn nije enerzjyapparatuer en oare fjilden.
IGBT hat in protte foardielen, ynklusyf hege ynfierimpedânsje, leech kontrôlefermogen, ienfâldich oandriuwsirkwy, hege skeakelsnelheid, grutte tastânstroom, fermindere ôfliedingsdruk en lyts ferlies. Dêrom hat it absolute foardielen yn 'e hjoeddeiske merkomjouwing.
Dêrom is IGBT de meast mainstream wurden fan 'e hjoeddeiske merk foar krêfthealgeleiders. It wurdt in soad brûkt yn in protte gebieten lykas nije enerzjyopwekking, elektryske auto's en oplaadpalen, elektrifisearre skippen, DC-oerdracht, enerzjyopslach, yndustriële elektryske kontrôle en enerzjybesparring.
Stal:InfineonIGBT-module
IGBT-klassifikaasje
Neffens de ferskillende produktstruktuer hat IGBT trije soarten: single-pipe, IGBT-module en smart power module IPM.
(Oplaadstapels) en oare fjilden (benammen sokke modulare produkten dy't op 'e hjoeddeiske merk ferkocht wurde). De yntelliginte krêftmodule IPM wurdt benammen in soad brûkt op it mêd fan wite húshâldlike apparaten lykas inverter-airconditioners en waskmasines mei frekwinsjekonverzje.
Ofhinklik fan 'e spanning fan it tapassingsscenario hat IGBT-typen lykas ultra-lege spanning, lege spanning, middelgrutte spanning en hege spanning.
Under harren is de IGBT dy't brûkt wurdt troch nije enerzjyauto's, yndustriële kontrôle en húshâldlike apparaten benammen middelspanning, wylst spoarferfier, nije enerzjyopwekking en tûke netwurken hegere spanningseasken hawwe, benammen mei gebrûk fan heechspannings-IGBT.
IGBT ferskynt meast yn 'e foarm fan modules. IHS-gegevens litte sjen dat de ferhâlding fan modules en ienkele buis 3:1 is. De module is in modulêr healgeleiderprodukt makke troch de IGBT-chip en de FWD (kontinuearjende diodechip) fia in oanpaste circuitbrêge, en fia plestik frames, substraten en substraten, ensfh.
Mmerksituaasje:
Sineeske bedriuwen groeie rap, en se binne op it stuit ôfhinklik fan ymport
Yn 2022 hie de IGBT-yndustry fan myn lân in produksje fan 41 miljoen, mei in fraach fan sawat 156 miljoen, en in selsfoarsjennend taryf fan 26,3%. Op it stuit wurdt de binnenlânske IGBT-merk benammen beset troch bûtenlânske fabrikanten lykas Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, en Fuji Electric, wêrfan it heechste oandiel Yingfei Ling is, dat is 15,9%.
De merk foar IGBT-modules CR3 berikte 56,91%, en it totale oandiel fan 'e binnenlânske fabrikanten Star Director en CRRC's era fan 5,01% wie 5,01%. It merkoandiel fan 'e top trije fabrikanten fan it wrâldwide IGBT-split-apparaat berikte 53,24%. Ynlânske fabrikanten kamen yn 'e top tsien merkoandiel fan it wrâldwide IGBT-apparaat mei in merkoandiel fan 3,5%.
IGBT ferskynt meast yn 'e foarm fan modules. IHS-gegevens litte sjen dat de ferhâlding fan modules en ienkele buis 3:1 is. De module is in modulêr healgeleiderprodukt makke troch de IGBT-chip en de FWD (kontinuearjende diodechip) fia in oanpaste circuitbrêge, en fia plestik frames, substraten en substraten, ensfh.
Mmerksituaasje:
Sineeske bedriuwen groeie rap, en se binne op it stuit ôfhinklik fan ymport
Yn 2022 hie de IGBT-yndustry fan myn lân in produksje fan 41 miljoen, mei in fraach fan sawat 156 miljoen, en in selsfoarsjennend taryf fan 26,3%. Op it stuit wurdt de binnenlânske IGBT-merk benammen beset troch bûtenlânske fabrikanten lykas Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, en Fuji Electric, wêrfan it heechste oandiel Yingfei Ling is, dat is 15,9%.
De merk foar IGBT-modules CR3 berikte 56,91%, en it totale oandiel fan 'e binnenlânske fabrikanten Star Director en CRRC's era fan 5,01% wie 5,01%. It merkoandiel fan 'e top trije fabrikanten fan it wrâldwide IGBT-split-apparaat berikte 53,24%. Ynlânske fabrikanten kamen yn 'e top tsien merkoandiel fan it wrâldwide IGBT-apparaat mei in merkoandiel fan 3,5%.
Pleatsingstiid: 8 july 2023
