De kosten fan enerzjy opslach systeem is benammen gearstald út batterijen en enerzjy opslach inverters. It totaal fan 'e twa foarmet 80% fan' e kosten fan elektrogemyske enerzjy opslach systeem, wêrfan de enerzjy opslach inverter goed foar 20%. De IGBT isolearjende raster bipolar kristal is it streamopôfstân grûnstof fan de enerzjy opslach inverter. De prestaasjes fan IGBT bepaalt de prestaasjes fan 'e enerzjyopslachomformer, goed foar 20% -30% fan' e wearde fan 'e ynverter.
De haadrol fan IGBT op it mêd fan enerzjyopslach is transformator, frekwinsjekonverzje, yntervolúsjekonverzje, ensfh., Dat is in ûnmisber apparaat yn applikaasjes foar enerzjyopslach.
Ofbylding: IGBT-module
De streamop grûnstoffen fan enerzjy opslach fariabelen befetsje IGBT, capacitance, ferset, elektryske ferset, PCB, ensfh Under harren is IGBT noch benammen ôfhinklik fan ymport. D'r is noch in gat tusken ynlânske IGBT op technologynivo en it liedende nivo fan 'e wrâld. Mei de rappe ûntwikkeling fan 'e yndustry foar enerzjyopslach fan Sina wurdt lykwols ek ferwachte dat it domestikaasjeproses fan IGBT sil fersnelle.
IGBT enerzjy opslach applikaasje wearde
Yn ferliking mei fotovoltaïsk is de wearde fan enerzjyopslach IGBT relatyf heech. Enerzjy opslach brûkt mear IGBT en SIC, wêrby't twa keppelings: DCDC en DCAC, ynklusyf twa oplossings, nammentlik de optyske opslach yntegrearre en aparte enerzjy opslach systeem. De ûnôfhinklike enerzjy opslach systeem, it bedrach fan macht semiconductor apparaten is oer 1,5 kear de fotovoltaïsche. Op it stuit kin optyske opslach mear dan 60-70% rekkenje, en in apart enerzjyopslachsysteem foar 30%.
Ofbylding: BYD IGBT module
IGBT hat in breed oanbod fan tapassing lagen, dat is foardieliger as MOSFET yn de enerzjy opslach inverter. Yn eigentlike projekten hat IGBT MOSFET stadichoan ferfongen as it kearnapparaat fan fotovoltaïske inverters en wynenerzjygeneraasje. De rappe ûntwikkeling fan 'e nije yndustry foar enerzjyopwekking sil in nije driuwende krêft wurde foar de IGBT-sektor.
IGBT is it kearnapparaat foar enerzjytransformaasje en oerdracht
IGBT kin folslein wurde begrepen as in transistor dy't kontrolearret elektroanyske twa-way (multi-directional) streamend mei fentyl kontrôle.
IGBT is in gearstalde folsleine-kontrôlespanning-oandreaune macht semiconductor apparaat gearstald út de BJT bipolêre triode en isolearjende raster fjild effekt buis. De foardielen fan twa aspekten fan drukfall.
Ofbylding: IGBT module struktuer skematyske diagram
De skeakelfunksje fan IGBT is om in kanaal te foarmjen troch posityf ta te foegjen oan 'e poartespanning om de basisstroom oan' e PNP-transistor te leverjen om IGBT te riden. Oarsom, foegje de omkearde doarspanning ta om it kanaal te eliminearjen, troch de omkearde basisstream te streamen en de IGBT út te skeakeljen. De rydmetoade fan IGBT is yn prinsipe itselde as dy fan MOSFET. It hoecht allinich de ynfierpoal N ien-kanaal MOSFET te kontrolearjen, dus it hat hege ynfierimpedânsje-eigenskippen.
IGBT is it kearnapparaat fan enerzjytransformaasje en oerdracht. It wurdt algemien bekend as de "CPU" fan elektryske elektroanyske apparaten. As in nasjonale strategyske opkommende yndustry, is it in protte brûkt yn nije enerzjyapparatuer en oare fjilden.
IGBT hat in protte foardielen, ynklusyf hege ynfierimpedânsje, lege kontrôlekrêft, ienfâldich rydkring, rappe skeakelsnelheid, stroom mei grutte steat, fermindere omliedingsdruk en lyts ferlies. Dêrom hat it absolute foardielen yn 'e hjoeddeistige merkomjouwing.
Dêrom is IGBT de meast mainstream wurden fan 'e hjoeddeistige merk foar macht semiconductor. It wurdt in protte brûkt yn in protte gebieten, lykas nije enerzjyopwekking, elektryske auto's en oplaadpalen, elektrifisearre skippen, DC-oerdracht, enerzjyopslach, yndustriële elektryske kontrôle en enerzjybesparring.
Stal:InfineonIGBT module
IGBT klassifikaasje
Neffens de ferskillende produktstruktuer hat IGBT trije soarten: single-pipe, IGBT-module en smart power module IPM.
(Opladen peallen) en oare fjilden (meast sokke modulêre produkten ferkocht yn de hjoeddeiske merk). De yntelliginte power module IPM wurdt benammen in soad brûkt op it mêd fan wite húshâldlike apparaten lykas inverter air conditioners en frekwinsje konverzje wasmachines.
Ofhinklik fan 'e spanning fan it tapassingsscenario hat IGBT soarten lykas ultra-lege spanning, lege spanning, medium spanning en hege spanning.
Under harren is de IGBT brûkt troch nije enerzjyauto's, yndustriële kontrôle, en húshâldlike apparaten foaral medium spanning, wylst spoarferfier, nije enerzjyopwekking en tûke netten hegere spanningseasken hawwe, benammen mei hege spanning IGBT.
IGBT ferskynt meast yn 'e foarm fan modules. IHS gegevens litte sjen dat it oanpart fan modules en inkele buis is 3: 1. De module is in modulêre semiconductor produkt makke troch de IGBT chip en de FWD (trochgean diode chip) troch in oanpaste circuit brêge, en troch plastic frames, substrates en substrates , ensfh.
Market situaasje:
Sineeske bedriuwen groeie hurd, en se binne op it stuit ôfhinklik fan ymport
Yn 2022 hie de IGBT-sektor fan myn lân in produksje fan 41 miljoen, mei in fraach fan sawat 156 miljoen, en in selsfoldwaande taryf fan 26,3%. Op it stuit wurdt de ynlânske IGBT-merk benammen beset troch bûtenlânske fabrikanten lykas Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, en Fuji Electric, wêrfan it heechste oanpart Yingfei Ling is, dat is 15,9%.
De IGBT-modulemerk CR3 berikte 56,91%, en it totale oandiel fan ynlânske fabrikanten Star Director en CRRC's tiidrek fan 5,01% wie 5,01%. De merkoandiel fan 'e top trije fabrikanten fan it wrâldwide IGBT-split-apparaat berikte 53,24%. Ynlânske fabrikanten ynfierden de top tsien merkoandiel fan it wrâldwide IGBT-apparaat mei in merkoandiel fan 3.5%.
IGBT ferskynt meast yn 'e foarm fan modules. IHS gegevens litte sjen dat it oanpart fan modules en inkele buis is 3: 1. De module is in modulêre semiconductor produkt makke troch de IGBT chip en de FWD (trochgean diode chip) troch in oanpaste circuit brêge, en troch plastic frames, substrates en substrates , ensfh.
Market situaasje:
Sineeske bedriuwen groeie hurd, en se binne op it stuit ôfhinklik fan ymport
Yn 2022 hie de IGBT-sektor fan myn lân in produksje fan 41 miljoen, mei in fraach fan sawat 156 miljoen, en in selsfoldwaande taryf fan 26,3%. Op it stuit wurdt de ynlânske IGBT-merk benammen beset troch bûtenlânske fabrikanten lykas Yingfei Ling, Mitsubishi Motor, en Fuji Electric, wêrfan it heechste oanpart Yingfei Ling is, dat is 15,9%.
De IGBT-modulemerk CR3 berikte 56,91%, en it totale oandiel fan ynlânske fabrikanten Star Director en CRRC's tiidrek fan 5,01% wie 5,01%. De merkoandiel fan 'e top trije fabrikanten fan it wrâldwide IGBT-split-apparaat berikte 53,24%. Ynlânske fabrikanten ynfierden de top tsien merkoandiel fan it wrâldwide IGBT-apparaat mei in merkoandiel fan 3.5%.
Post tiid: Jul-08-2023
